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随着IGBT  器件在国内的普及,从客户反映的情况来看,损坏问题出现不少。

综合理论和实际应用,导致IGBT  损坏的因素有如下几方面:

1.  过压: 
            1).集射端过压(Vce).

            2).门极过压(Vge)

            3).dv/dt  过高

            4).静电干扰

2.  过流: 
            1).短路电流超时(>10us)

            2).di/dt  过高

3.  过热: 
            1).温度过高

            2).  温度过低

4.  机械损坏: 
            1).过热循环

            2).震动

            3).冲击

            4).超功率循环

 

解决方法:

1.过压保护:
            1).门极过压,采用齐纳嵌位二极管/推荐使用1.5KE16CA

            2).门极与集电极之间加齐纳二极管/1.5KE,预防Vce过压.

 

2.通过检测直流母线电压,为过压保护回路提供即时电压信息.

 

3.过流保护:
            1).门射之间加电阻Rge>10kΩ(缓解输入电容充电无法控制问题)

            2).集电极接快恢二极管,短路保护.

            3).Econo-module  外接电流检测电阻或电流传感器,过流保护.